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作者:an888    发布于:2026-07-15 07:15    文字:【】【】【

   欧陆手机app下载,与市场更多聚焦玻璃基板下游进展和未来空间测算不同,我们梳理的多元下游应用场景,以及对应上中游环节的性能要求、技术门槛和市场格局。随着半导体技术快速变革, 在AI/HPC大尺寸封装、光电互连、射频前端和临时键合等场景的推动下,玻璃基材有望成为下一代重要的AI硬件材料。其中先进封装领域载板芯材(Glass Core)和中介层材料(Glass Interposer)中长期市场空间大,国内玻璃龙头有望实现原片国产化替代和TGV技术突破。我们看好受益半导体新需求放量叠加供给出清的玻璃板块。

  玻璃基材凭借可调CTE、平整度、天然绝缘/低介电损耗等优秀物理特性,有望成为下一代重要的半导体材料。AI/HPC算力需求高速增长驱动先进封装持续升级,需要实现更大尺寸、更高互连密度、更低信号损耗以及更好的翘曲与散热控制,有机载板、硅中介层面临性能和尺寸扩展瓶颈,Glass Core、Glass Interposer等路线成为中长期更具空间的应用方向。海外产业链加速推进,Intel、台积电等芯片/封装龙头从下游架构和客户验证端推动Glass Core、Glass Interposer导入,Absolics等企业推进玻璃基板产线建设与商业化验证,康宁等材料龙头围绕玻璃材料和Glass Bridge/CPO光互连方案拓展应用边界。此外玻璃基材在Glass Carrier、Glass IPD、HDD玻璃盘片等应用逐步成熟,在临时键合、射频和存储等领域形成产业化基础。

  目前玻璃基板产业化难点除了TGV加工和增层外,封装原片的配方设计与成型工艺也是核心瓶颈之一。原片需在尺寸、厚度、平整度和洁净度等方面满足后续加工要求,其难点体现在CTE可调并匹配硅侧热膨胀、高频低介电损耗、高平整度/低TTV、杂质与缺陷控制,以及与加工工艺的兼容性,当前核心原片供应仍由海外厂商主导。原片工艺基础主要来自显示基板玻璃、电子玻璃和高硼硅特种玻璃等既有平台,国内具备切入基础的企业主要包括三类:显示基板玻璃系、布局电子玻璃的浮法龙头、硼硅/高含硼特种玻璃系。上述企业在配方、熔炼、成型、退火、薄板质量和缺陷控制等环节已有丰富技术积累,有望凭借技术和客户验证积累,在国产替代中取得先发优势。

  海外头部厂商于26H2–2027年有望密集进入小批量量产与导入节点,据TrendForce等第三方机构,玻璃基板有望于2028–2029年放量、2030年起规模化量产。国内沿“原片+加工”双线加速追赶,部分环节已进入小批量供货与送样验证阶段。中长期来看,玻璃基板在载板、中介层应用空间广阔,我们测算玻璃基板中长期(2030年)全球市场空间有望达33–118亿美元,原片端中长期(2030年)全球市场空间有望达6.6–23.6亿美元。此外玻璃基RFIPD有望受益于5G/6G射频前端市场扩张与毫米波高频段对低损耗衬底需求的提升,作为较为成熟的应用方向有望较快导入。

  原片和TGV环节是技术门槛较高的环节之一,当前国产化率低,国内玻璃龙头有望凭借工艺基础实现原片端国产替代,并推动向高端特种玻璃的转型升级。我们优先建议关注两类企业,详见研报原文。

  风险提示:技术成熟度与量产风险,下游需求与渗透节奏不及预期风险,测算和实际不符风险,国产送样认证不通过与竞争格局恶化风险。

  AI/HPC算力需求高速增长驱动先进封装需求持续快速增长,封装要求做到更大尺寸、更高互连密度、更低信号损耗、更好的翘曲与散热控制。据Yole Group于2025年8月发布的《Status of the Advanced Packaging Industry 2025》,全球先进封装市场规模将由2024年的约460亿美元增长至2030年的超794亿美元,2024–2030年CAGR约9.5%,2024年先进封装市场规模占整体封装市场的比例已超过50%。从结构看,移动与消费电子是目前最大的应用市场(约占2024年营收70%),而增量主要来自通信与基础设施,其2024–2030年CAGR预计达14.9%,为增速最快的细分市场,由AI加速器、GPU、云与数据中心需求以及Chiplet架构普及等增长趋势驱动。

  有机载板等传统封装材料面临翘曲等多重瓶颈。随着芯片行业进入后摩尔时代,性能、面积、功耗和存储等四项短板愈发明显,而海外通过先进封装突破功耗/带宽/面积瓶颈、降低工艺成本的动力大幅提升,国内也希望通过先进封装实现半导体产业发展的弯道超车。

  而目前封装体系下的ABF有机载板正面临四重发展瓶颈:芯片大尺寸趋势下翘曲失控(有机CTE约15-17ppm/℃,与硅的3ppm/℃严重失配)、线宽微缩接近极限(难以稳定做到2µm L/S)、高频信号损耗偏高,以及大尺寸化受光罩限制、良率随封装面积扩大而下降。在中介层(interposer)环节,传统硅中介层则受制于尺寸物理极限、介电常数偏高、电磁耦合损耗大与晶圆级工艺的高成本,且较难支撑HBM4/5对互联密度的要求,玻璃中介层也有望迎来升级替代机遇。

  玻璃基板凭借四项物理特性有望成为下一代重要的先进封装材料。(1)可调CTE(3–10 ppm/°C,可匹配硅),从根本上缓解翘曲;(2)超高表面平整度与尺寸稳定性,支持L/S2µm的高密度布线)天然绝缘、低介电损耗,TGV垂直互联在高频场景插损更低;(4)面板级(Panel)加工能力,突破光罩/晶圆尺寸限制。因此玻璃基板有望沿两条路线落地:玻璃芯载板(Glass Core Substrate)作为结构件、以玻璃替代有机树脂芯,替代ABF有机载板的核心层;玻璃中介层(Glass Interposer)作为互联件、以玻璃替代硅中介层。前者已有Intel、Absolics、三星电机等推进,后者以台积电CoPoS、Rapidus为代表。

  除AI/HPC大尺寸封装外,共封装光学(CPO)也有望成为未来玻璃基板的需求潜力市场之一。CPO领域应用更看重玻璃的光学、电学和工艺协同特性:玻璃具备较好的光学透明性,可通过光波导等工艺承载光路集成,同时兼具天然绝缘、低介电损耗、热稳定性和尺寸稳定性,有望作为有机基板/硅中介层的补充或潜在替代方案,支撑高带宽、低功耗光互连。玻璃在CPO中的应用处于早期阶段,目前主要是英特尔围绕玻璃芯基板+CPO原型、康宁围绕电光玻璃基板及Glass Bridge等光互连组件进行前期布局。

  今年6月24日,康宁在首尔POSCO Tower Yeoksam举办的AI数据中心光通信与互连技术大会上,正式发布玻璃光学互连组件Glass Bridge(玻璃桥)。该产品是一种由玻璃制成的光连接器,可直接连接光芯片与光纤,采用晶圆级离子交换波导技术,在玻璃中构建高精度光波导,实现光纤至光子集成电路前端的高密度光I/O连接,简化对准与组装流程。此外,康宁还推出了融合玻璃基板与光互连技术的新一代CPO架构,不同于依赖光纤阵列(FAU)进行空间光路转换的传统方案,新架构采用TGV工艺在玻璃基板上构建光波导,并通过倒装芯片方式集成光芯片,玻璃基板将有望从“载板”升级成为“光互联载板”, 有望成为CPO光互连的高密度集成和规模化制造的重要技术路径。

  玻璃基IPD(集成无源器件)是玻璃基板较为成熟的应用方向。玻璃基IPD之所以领先封装载板率先量产,原因在于其对TGV的要求低于封装载板——IPD仅需在玻璃上集成少量无源元件,孔数量少、布线层)、多为晶圆级小尺寸、良率门槛低;而封装载板需在大面板上实现数万个TGV、多层RDL(如10层级)与超细线宽,大面板翘曲与大面积良率控制难度高。

  IPD将电感、电容等无源元件以薄膜+TGV工艺集成于玻璃晶圆,应用以射频前端(滤波器、双工器、巴伦、匹配网络等)为主、亦用于ESD/EMI防护等。其替代逻辑分两层:器件层面,IPD以集成化替代分立无源器件(小型化、高一致性、降成本);衬底层面,玻璃基IPD替代硅基(高阻硅)IPD与LTCC,IPD衬底沿“高阻硅→玻璃(TGV)”升级(玻璃基IPD属无源器件,与作为封装载体的玻璃芯载板/中介层并非同一品类)。硅作为半导体存在衬底漏电与寄生损耗,玻璃为天然绝缘体、衬底损耗极低,配合低Dk/Df与高深宽比TGV立体绕线,可实现更高Q值电感与更低插损滤波器,且频率越高(5G毫米波、6G)该优势越显著(IMAPS资料显示10GHz内玻璃衬底插损显著低于硅)。长电科技2026/4完成玻璃基TGV射频IPD工艺验证,其3D电感Q值较同等平面结构提升约50%、整体优于硅基IPD路线。

  部分国内厂商已在玻璃基射频IPD实现批量交付/量产应用,有望更快导入,玻璃基射频IPD有望受益于5G/6G射频前端市场扩张与毫米波高频段对低损耗衬底需求的提升,渗透率持续上行。厦门云天半导体(制造)与上海芯波(设计)合作的3D Glass IPD量产项目交付已突破1000万颗(截至2025Q2),TGV类产品累计出货超亿颗,其与厦门大学合作的8寸玻璃可集成24种无源器件、工作频段达5–90GHz;芯和半导体的IPD平台累计出货超20亿颗(含高阻硅+玻璃工艺)。沃格光电/通格微TGV最小孔径3μm、深径比150:1,5G-A/6G射频天线振子与科研院所合作打样。海外方面,3D Glass Solutions、ST等推出商用玻璃基射频IPD产品线,上游TGV玻璃晶圆由康宁、肖特、AGC供应。

  玻璃临时键合材料(Glass Carrier)已成为2.5D/3D先进封装的主流材料,作为可重复使用工艺耗材、单位价值量较低但导入快,是国产替代的先行环节。临时键合是一种在晶圆级/面板级先进封装过程中,使用临时胶层将器件晶圆/重构晶圆贴附到一片玻璃载板上,完成正面或背面工艺后再通过激光、热滑移、机械剥离或化学溶解方式将载板解键合的工艺。玻璃载板凭借高透光性(支持激光解键合)、超高表面平整度、可调CTE与高刚性,能在加工过程中为超薄晶圆提供机械支撑,显著降低翘曲与碎片率,尤其在需要UV/激光解键合的工艺(2.5D/3D、FOWLP/FOPLP)中。玻璃临时键合载板作为工艺耗材,可重复使用,价值量与玻璃中介层和玻璃芯载板相比较低。

  据戈碧迦25年报,对于键合材料玻璃载板产品,以CoWoS、HBM 为代表的 2.5D、3D 先进封装需求的提升带动了公司玻璃载板产品的发展,公司已经累计获得玻璃载板订单 1.265亿元人民币。据美迪凯25年报,公司能够提供玻璃晶圆精密加工服务,其中半导体用玻璃基板精密加工采用晶圆级工艺技术,对玻璃晶圆进行外形加工与表面研抛,使其具备低总厚度偏差(TTV)、低表面粗糙度及超洁净表面的特性,用于半导体芯片制造中的临时键合承载基板与先进封装玻璃基板。

  此外,HDD玻璃基板(Glass Substrate或Glass Platter for HDD)等也是较为成熟的应用。HDD玻璃盘片是机械硬盘(HDD)内部用于存储数据的圆形磁记录碟片,相较于传统的铝合金材料,玻璃基材在HAMR(热辅助磁记录)技术下有较为广阔的应用空间,通过在磁头集成纳米级激光,将盘面微区瞬间加热至400℃以上,实现更高磁矫顽力介质上的稳定写入和更大的单碟容量。据蓝思科技25年报,HDD玻璃基板耐热温度高于传统铝合金基板,在表面粗糙度(埃米级)、刚性/膨胀系数、热稳定性和抗震性等方面都更具有优势。

  据QYResearch,2024年全球HDD玻璃盘片市场规模约8.9亿美元,当前应用仍然以2.5英寸HDD规格产品为主的存量市场,且主要由日本HOYA进行供应。在AI加速发展趋势下,温/冷数据指数级增长,叠加HDD向大容量、高磁密度演进,传统铝合金材料物理性能进一步受限,我们认为玻璃盘片需求有望迎来更快的替代性需求增长。据蓝思科技25年报,公司加快推进自主开发的HDD机械硬盘玻璃基板客户验证,形成SSD与HDD双轮驱动的存储领域布局。

  无论是玻璃基板还是玻璃基IPD,制造工艺大致都可分为原片制造、Glass Core形成和 Build-up增层几个环节,细分工序与其产品具体用途(替代ABF有机载板/替代硅中介层)、是否Embedded、镀铜方式(全填充Full Fill/孔壁填充Conformal Plating)等因素有关,因此各类供应商参与的环节也并不相同。

  载板、中介层用玻璃基板整体处于样品试验、送样,但未达量产阶段,主要因产业化难点对良率爬坡的影响。从产业规律看,“做出样品”到“稳定量产”存在一定时间差。据台积电2026年股东会(2026/6/4),董事长魏哲家就CoPoS进度表示,公司已建置试产线,但“产量达到相当大的规模约需2-3年”(指向2028–2029年),并强调先进封装没有捷径、需与客户共同验证良率与效率。

  目前玻璃基板产业化难点一方面集中在TGV环节,包括TGV成孔、孔内金属化、RDL多层布线及大尺寸良率控制。其中TGV金属化是玻璃基板关键难点环节。实际工艺中存在种子层覆盖不足、附着力不够、填孔空洞、铜柱过高与微裂纹五类典型缺陷。当前主流解法包括湿法化学镀+LPD液相沉积(解决覆盖)、粘附促进层+Ti阻挡层(解决附着)、Bottom-up电镀(解决空洞)、CMP平坦化(解决铜面平整)、玻璃成分调控+多次退火(解决CTE应力),涉及湿法设备、PVD、电镀、CMP、玻璃基板五个环节。

  原片环节也是技术门槛较高的环节之一,其难点体现在CTE可调性、介电性能、精度、缺陷控制以及下游工艺兼容性等方面,当前国产化率低。(1)CTE可调性:封装玻璃需要按客户需求定制,单一配方难以覆盖全部应用;(2)介电性能:AI/HBM在28–40GHz下要求Df≤0.002,传统无碱铝硼硅玻璃难以同时兼顾。(3)精度——封装玻璃下游紧接激光改性+湿法刻蚀TGV,原片TTV偏差直接影响钻孔一致性。(4)缺陷控制:气泡、澄清度、表面划痕等控制要求更高;(5)下游工艺兼容性:玻璃成分需与激光、湿法蚀刻、电镀、CMP、PLP级RDL等工艺链全程兼容。国外目前供应厂商主要集中在康宁、SCHOTT、AGC、NEG等企业,其中以SCHOTT的BF33和D263玻璃原片、康宁的EXG玻璃原片等较为典型。

  封装玻璃原片的配方体系与成型工艺与国内已掌握的显示基板玻璃、硼硅玻璃一定程度同源,有望为当前国内玻璃龙头切入玻璃基板业务提供先发优势。从性能上来看,封装玻璃原片在显示基板玻璃“无碱、低热收缩、超高表面质量”的基础上,对半导体封装工艺提出了更高要求:(1)CTE可调性:封装玻璃需接近并匹配硅侧热膨胀窗口,同时控制与铜/RDL等材料体系的热应力,降低大尺寸封装中的翘曲、开裂风险;(2)高频低介电损耗:显示玻璃对高频介电性能要求相对较低,而封装玻璃用于高速信号传输场景,需具备更低Dk/Df,部分低损耗玻璃Df可达到0.002量级;(3)杂质与缺陷控制:封装原片需控制气泡、划痕、金属/离子杂质等缺陷,避免影响后续加工良率和可靠性;(4)TGV加工与金属化兼容性:封装玻璃需适配激光改性/开孔、湿法刻蚀、孔内金属化和多层RDL增层等工艺,原片TTV、翘曲和表面质量会直接影响后续通孔一致性和良率。

  从成分体系看,封装玻璃原片与显示无碱铝硼硅/碱土硼铝硅玻璃最为接近,二者均强调低碱、低热膨胀、高平整度和大尺寸薄板质量控制,AGC EN-A1即为可用于TGV/WLP/MEMS的无碱硼铝硅玻璃。与此同时,封装原片与中硼硅药玻、高硼硅/高含硼特种玻璃同属广义硼硅体系,具备配方设计、高温熔炼、均化澄清和精密退火等技术相通性;中硼硅药玻主要面向药包材耐水解和洁净生产,高硼硅玻璃则更强调低膨胀、耐热震和热稳定性,更接近封装原片材料要求,但仍需进一步满足低介电、低TTV、低缺陷和半导体工艺兼容等电子级指标。

  从成型工艺看,溢流下拉法(overflow fusion)双面为火抛原始面、平整度高、TTV极低、无需研磨抛光,是显示基板玻璃的主流工艺,也最契合封装对超低TTV的要求;浮法(float)产能高、成本低、易做大尺寸,但表面接触锡液、厚度精度较低,做封装原片需将缺陷与TTV控制升级至半导体级;药用玻璃的丹纳/维洛拉管法为管材成型,与封装板材工艺差异大、迁移度低。

  国际龙头对玻璃基板的布局也基于过去电子显示玻璃等领域的能力。康宁的 EAGLE XG(碱土硼硅铝玻璃)由显示熔融下拉平台延伸至玻璃载板与TGV多层玻璃;AGC以无碱铝硼硅EN-A1(CTE 38×10⁻⁷匹配硅)直接用作TGV封装基板;SCHOTT的BF33(高性能浮法硼硅玻璃)、AF32 eco(无碱铝硼硅、下拉成型)源自其特种/显示薄玻璃家族。以上三家公司均由其显示/特种玻璃的配方与成型平台延伸而来。由于玻璃一般硬而且脆,后续工艺流程做RDL容易开裂,不同类型玻璃的抗裂能力差别很大,应用于载板的玻璃,其厚度、边缘余量、ABF材料、铜含量都会影响裂纹蔓延。

  (1)显示/电子玻璃系:以显示基板和超薄电子玻璃工艺为基础,优势在大尺寸薄板、表面质量和TTV控制。例如彩虹股份已具备G8.5+无碱铝硼硅基板玻璃量产能力;凯盛科技拥有显示材料全产业链、超薄电子玻璃和UTG积累,但TGV玻璃仍处研发阶段。

  (2)布局电子玻璃的浮法龙头:以浮法产线和电子玻璃升级为基础,向溢流、下拉、微浮法超薄玻璃及低损耗低膨胀玻璃延伸,例如旗滨集团在浮法基础上发展电子玻璃,并推进定制化芯片封装玻璃/低损耗低膨胀射频玻璃基板研发。

  (3)硼硅/高含硼特种玻璃系:这一路线的优势在硼硅/高硼硅配方、高温熔炼的经验。力诺药包除中硼硅药用玻璃外,也具备高硼硅耐热玻璃等产品基础,公司玻璃新材料中试窑炉已点火,玻璃基板、微晶玻璃等新应用处研发试验或送样阶段。戈碧迦则依托光学玻璃和特种功能玻璃能力,拥有高含硼特种玻璃产品的配方和生产经验。

  从渗透节奏来看,2028年预计迎来玻璃芯基板等应用的放量期。据Yole,2025-2030年半导体玻璃晶圆需求CAGR约10.2%(含玻璃芯基板、玻璃中介层、临时键合载板等多类应用;该增速为玻璃晶圆原片材料用量口径,快于收入增速,且非玻璃基板成品市场规模增速),其中存储(HBM为主要应用)为增长最快的细分、CAGR约33%。据SEMI与Global Net Corp(2026/5),玻璃芯基板预计自2028年起在高性能应用实现规模化,2028-2040年CAGR约67.2%。

  良率爬坡与面板级摊薄是价值量与渗透节奏的核心变量。(1)基板方面:据Yole、STATS Chip PAC等测算,面板级封装较扇出晶圆级可降本约20–30%;随良率提升与规模化,玻璃相对有机基板的成本溢价有望逐步收敛。(2)中介层方面:当前大尺寸硅中介层成本高昂、占封装成本比重过半,而玻璃天然绝缘、金属化工艺链更短,构成玻璃中介层替代硅中介层的核心驱动。而在时间点上,我们认为在台积电、英特尔等推进相对较快的背景下,随着产线良率提升和面板级摊薄,玻璃基板的高成本有望收敛,2028年前后或将是玻璃基板的成本拐点年。

  我们测算玻璃基板中长期(2030年)全球市场空间有望达33–118亿美元:

  考虑玻璃中介层(台积电CoPoS、Rapidus 2028-2029仍处原型/导入)放量节奏晚于玻璃芯载板,我们设中介层渗透率低于载板。在保守/基准/乐观情景下,设玻璃芯载板渗透率为10%/20%/35%、玻璃中介层渗透率为5%/15%/30%,对应先进封装场景下玻璃基板远期市场空间约32.6/66.8/118.1亿美元;其中玻璃芯载板贡献31.0/62.0/108.5亿美元、为贡献主力(基准情景下占比约93%),玻璃中介层贡献1.6/4.8/9.6亿美元。

  若进一步假设原片环节价值量占比20%,预计玻璃基板原片端中长期(2030年)市场空间有望达6.6–23.6亿美元,价值量相对于TGV和增层布线等环节要小,但也将是特种玻璃快速增长的应用市场之一。

  26H2海外有望逐步进入小批量与量产节点。据TrendForce、Yole等第三方机构,玻璃基板有望于2026-2027年进入早期商业化、2028-2029年放量、2030年起规模化量产,海外头部厂商于26H2-2027年有望密集进入小批量量产与导入节点。

  例如:(1)SK旗下Absolics美国佐治亚Covington工厂已进入商业化爬坡阶段,获CHIPS Act直接资助上限最高10000万美元(项目总投资约3.43亿美元),客户以送样/认证为主,预计2026年底启动小批量、2027年进入产能爬坡。Absolics母公司SKC已于今年5月公告定增计划,拟新发行1173万股筹集1.17万亿韩元(约合人民币53亿元),其中大约5896亿韩元(占比约一半)用于注资Absolics,以加快发展半导体封装玻璃基板业务;(2)Intel 2026/1于NEPCON Japan展示EMIB集成的Thick Core玻璃芯样品(78×77mm、10-2-10堆叠),定性为迈向量产的重要一步,量产窗口指向2026–2030年。此外,Intel围绕玻璃基板的外部供应/专利授权、与3DGS在印度Odisha的约33亿美元项目等持续推进,产业化布局进一步外延;(3)台积电CoPoS中试线月建成并投入工艺验证,董事长在股东会表示有意义放量约在2–3年后(对应2028–2029年),同时公司亦围绕glass core substrate与产业链伙伴展开探索,方向上指向更大尺寸、低翘曲和面板级制造;(4)康宁近期推出Glass Bridge,面向AI光互连/数据中心光通信场景,体现玻璃材料在高带宽、低损耗互连中的延展空间;(5)三星电机世宗pilot line已运行,并与住友化学、Dongwoo Fine-Chem签署MOU推进玻璃芯材料合作,目标2027年后量产;(6)NEG、DNP均规划2028年前后量产或供样,DNP久喜厂TGV玻璃基板试验产线年初分阶段供样;Rapidus则展示600×600mm玻璃面板/PLP原型,代表日本厂商对面板级玻璃封装路线的前瞻探索。

  国内沿“原片+加工”双线加速追赶,部分环节已进入小批量供货与送样验证阶段。加工端,通格微(沃格光电控股)已建成年产10万㎡TGV量产线并实现部分产品小批量供货,1.6T光模块/CPO玻璃基载板处于批量送样验证阶段、尚未规模化量产。京东方等面板厂亦在推进面板级封装载板布局,且进展较快,以京东方为例,公司目标产品为大尺寸算力芯片先进封装所需的玻璃基载板(Glass Core Substrate),可匹配不同的先进封装方式,目前已给部分国内客户送样,部分客户已通过概念认证并进入技术测试阶段。截至目前,公司还未实现批量生产,该业务尚未实现量产营收。

  据京东方公告和2025年6月25日投资者记录表,公司已于今年5月公告与康宁签署了合作备忘录,其中披露了玻璃基封装载板业务现状,公司2020 年启动玻璃基载板技术调研,2022年投资3.9亿元建设玻璃基/硅基兼容的晶圆级创新实验平台,2024年投资9.93亿元建设了亦庄板级玻璃基封装载板试验线年内完成主设备搬入调试,2026年上半年已实现全自动化设备通线片/月。目前,公司已实现TGV开孔、深孔填铜、增层、布线等玻璃基封装载板全流程工艺拉通,并于 2025年完成大尺寸高层数(9-2-9,合计20层)玻璃基载板样品开发和送样。

  原片端,戈碧迦临时玻璃载板已量产并确认收入、玻璃基板已向多家半导体厂商送样,旗滨集团在浮法/超薄玻璃工艺基础上布局电子级/封装玻璃研发,凯盛科技(中国建材系)处于TGV玻璃研发/样品阶段。

  玻璃基材有望成为下一代重要的半导体材料。我们认为,AI/HPC算力需求的高速增长将驱动先进封装、存储、射频和光互连等环节产生新的材料需求。玻璃基材凭借可调CTE、高平整度、天然绝缘/低介电损耗等物理特性,在不同环节形成多类应用:Glass Carrier、玻璃基IPD、HDD玻璃盘片等已具备较成熟的产业化基础,导入节奏相对更快但单项价值量有限;Glass Core和Glass Interposer分别对应玻璃芯载板与玻璃中介层,是AI/HPC大尺寸封装下远期空间更大的两类规模化场景;CPO/Glass Bridge等光互连方向仍处更早期布局阶段,有望进一步打开玻璃材料应用边界。我们在报告中对Glass Core和Glass Interposer的全球市场空间进行了测算,并梳理国内外龙头企业进展。

  国内玻璃龙头有望凭借配方、熔炼、成型和薄板质量控制等工艺基础参与封装原片国产替代,并推动向高端特种玻璃转型。原片配方与成型、TGV加工和RDL增层是产业化门槛较高的环节,难点体现在CTE可调、高频低介电损耗、高平整度/低TTV、杂质与缺陷控制,以及与TGV加工、金属化和增层工艺的兼容性等方面,当前核心原片供应仍由海外厂商主导。与此同时,传统建筑玻璃业务受能源成本上升、价格承压和供给出清影响,行业盈利承压,有望倒逼龙头企业加快向电子玻璃、封装玻璃原片等高端特种玻璃方向转型。

  通过总结梳理,我们看好新需求放量叠加供给出清的玻璃板块。国内目前切入封装原片的主要是三类玩家:显示玻璃系、布局电子玻璃的浮法玻璃龙头,以及高硼硅/高含硼特种玻璃系企业,均有望凭借过去工艺、技术积累迁移拓展玻璃基板。但结合未来的市场价值量等因素,我们优先推荐两类企业,详见研报原文。

  玻璃基板产业整体仍处于量产前夜阶段,多数产品(尤其是需要TGV加工的玻璃中介层和玻璃芯基板)的制程良率尚未达到大规模商业化要求。即便是相对成熟的临时键合载板材料,下游客户的认证周期通常长达2-3年;HDD玻璃盘片则需埃米级抛光精度与多层磁性薄膜沉积的协同优化。玻璃材料本身的脆性、非导电性、高纵横比通孔填铜难度等固有特性,使得加工设备与工艺流程均需全新开发与验证,任何环节的良率波动都可能推迟产业化节奏,导致相关企业研发投入回收期延长、业绩兑现不及预期。

  我们在本报告中对玻璃芯载板和玻璃中介层的市场规模测算,依赖于玻璃基材未来的渗透率假设。而渗透率的演进与需求和技术路线相关,如玻璃盘片高度依赖HAMR技术在HDD中的渗透速度、AI/HPC对先进封装产能的拉动节奏、以及面板级封装(FOPLP)的产业化进程。若AI算力资本开支放缓、超大规模数据中心建设节奏减速,台积电CoWoS等路线若持续沿用硅中介层而非加速导入玻璃方案,玻璃基板的增量空间将显著缩窄。此外,玻璃也并非先进封装与大容量存储的唯一技术选项,封装领域的有机ABF载板持续迭代(高层数、低翘曲方案)、硅中介层良率提升与成本下降、以及碳化硅/陶瓷等新型载体材料的潜在突破,均可能压缩玻璃基板的可替代空间,需持续关注各路线、测算和实际不符风险

  文对玻璃芯载板、玻璃中介层及原片端市场空间的测算依赖于先进IC载板/硅中介层市场规模、玻璃基板渗透率、原片价值量占比、客户验证节奏和量产良率等假设。若下游头部厂商导入进度慢于预期、玻璃路线成本收敛不及预期、替代路线继续迭代,或原片价值量占比低于假设,相关市场空间测算可能与实际产业化结果存在偏差。

  当前先进封装用玻璃原片仍由康宁、肖特、AGC等少数海外巨头主导,海外和国内基板加工企业均在加快进行产品送样认证和产线投资建设。若国产厂商产品验证未能如期通过,或产品一致性/可靠性不达标,则国产替代逻辑的兑现将大幅延后,相关标的估值面临回调压力。

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